PNP晶體管ZXTP25020CFF和ZXTP19020DFF采用標準SOT23封裝的占板面積，但板外高度卻低于一毫米，適用于不同類型的超薄便攜式產品設計，
新器件有助于減少元件數及提升功率密度，可在諸如線性充電、高端負載切換電路等各種便攜式應用中作為極具成本效益的轉換開關使用。
P溝道MOSFET基于固有的漏極-源極體二極管，往往需要一個串聯的肖特基二極管。 ZXTP25020CFF可確保提供7V的反向阻斷能力，省去了在線性充電器中串聯的肖特基二極管。相比占板面積相似的P溝道MOSFET，可節省一半的印刷電路板面積。
SOT23FF封裝提供的改善后的熱阻可達158ºC/W，在15 x 15毫米的印刷電路板面積上提供0.8W的額定功率，從而比標準SOT23解決方案更能充分提升功率密度。在50 x 50毫米等效印刷電路板空間的應用中，其功率可增至1.96W 。
在高端開關、負載或隔離開關中，ZXTP19020DFF可在1A電流和20mA基極驅動下，將電壓降至只有70mV的水平；或在 2A電流和40mA基極驅動下，降至160mV的水平，等同于2.5 x 3毫米的印刷電路板占板面積70mΩ 的等效電阻。